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相變材料三代進化:GeSbTe→GSST→GSTS的光開關(guān)革命

2025-08-08

科毅光開關(guān)的技術(shù)革命與突破


引言:光開關(guān)——光通信網(wǎng)絡(luò)的“智能交通樞紐”


光通信網(wǎng)絡(luò)作為數(shù)字時代的“信息高速公路”,其傳輸效率與可靠性的核心在于光開關(guān)的性能。作為控制光信號路徑切換的關(guān)鍵器件,光開關(guān)如同“高速公路交叉口的智能信號燈”,直接決定了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣?、穩(wěn)定性與成本。隨著5G基站建設(shè)加速、數(shù)據(jù)中心規(guī)模擴張及“新基建”政策的推動,市場對光開關(guān)的需求已從“能切換”升級為“低損耗、高集成、快響應(yīng)”。


在這一背景下,相變材料技術(shù)的迭代成為光開關(guān)革新的核心驅(qū)動力。廣西科毅光通信科技有限公司(以下簡稱“科毅”)深耕相變材料領(lǐng)域十余年,從第一代GeSbTe(GST)到第二代GSST(Ge-Sb-Se-Te),再到即將突破的第三代GSTS(Ge-Sb-Te-S),持續(xù)推動光開關(guān)技術(shù)從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化,為國產(chǎn)光開關(guān)實現(xiàn)“從跟跑到領(lǐng)跑”提供了核心支撐。

 

 

一、三代相變材料技術(shù)演進:從“能用”到“好用”的跨越

相變材料(PCM)之所以能成為光開關(guān)的核心材料,源于其獨特的“可逆相變”特性——通過溫度或光信號刺激,材料可在非晶態(tài)與晶態(tài)間轉(zhuǎn)換,伴隨折射率的顯著變化,從而實現(xiàn)對光信號的高效調(diào)控??埔銓ο嘧儾牧系难邪l(fā),正是沿著“降低損耗、提升集成度、加速響應(yīng)”的路徑逐步突破。

 

1.第一代GeSbTe(GST):光開關(guān)的“啟蒙者”

第一代相變材料GST(Ge-Sb-Te)的出現(xiàn),首次讓光開關(guān)從機械式光開關(guān)邁入“全光控制”時代。其核心原理是:當(dāng)加熱至150℃左右時,GST會從非晶體轉(zhuǎn)變?yōu)榫w,折射率發(fā)生可逆變化,以此實現(xiàn)光信號的“通斷”切換。

但GST存在兩大致命缺陷:一是紅外波段消光系數(shù)高,導(dǎo)致光信號傳輸損耗顯著;二是晶化過程中易形成“晶化通道”,大尺寸結(jié)構(gòu)難以均勻相變,限制了光開關(guān)的集成度與小型化。這使得早期GST光開關(guān)體積大、功耗高、響應(yīng)慢,難以滿足現(xiàn)代光網(wǎng)絡(luò)的高密度部署需求。

 

2.第二代GSST(Ge-Sb-Se-Te):低損耗與高集成的突破

為解決GST的“高損耗”痛點,科毅聯(lián)合中科院物理研究所,在材料中引入Se元素,研發(fā)出第二代相變材料GSST。這一創(chuàng)新讓材料在晶態(tài)與非晶態(tài)下均保持“紅外透明”,消光系數(shù)大幅降低,同時維持了大折射率差,為光開關(guān)性能提升奠定了材料基礎(chǔ)。

更關(guān)鍵的是,GSST更易實現(xiàn)非晶化,其超表面納米結(jié)構(gòu)的尺寸不再受熔淬降溫速率限制,支持更大尺寸的可逆相變??埔銓SST與法布里-珀羅(F-P)腔結(jié)構(gòu)結(jié)合,通過優(yōu)化抗反射層(Al?O?)、頂部反射層(Au)、介質(zhì)復(fù)合層(Al?O?/GSST/Al?O?)及底部反射層(Pt/Ti)的厚度,在1500nm通訊波段實現(xiàn)了“超高開關(guān)比”——實驗最高達735,模擬最高達2410,較傳統(tǒng)GST提升了一個數(shù)量級。

 

3.第三代GSTS(Ge-Sb-Te-S):向“更快、更穩(wěn)、更寬”邁進

第三代相變材料GSTS是科毅當(dāng)前研發(fā)的重點,其核心目標(biāo)是突破GSST的性能邊界。通過優(yōu)化元素配比與新型摻雜技術(shù),GSTS有望實現(xiàn)三大突破:一是響應(yīng)速度躍升至皮秒級(如Sc-Sb-Te材料可實現(xiàn)700ps切換);二是提升熱穩(wěn)定性,延長使用壽命;三是拓展至可見光波段,覆蓋更多應(yīng)用場景。

目前,科毅已與國內(nèi)外科研機構(gòu)建立長期合作,圍繞GSTS的材料配方、制備工藝及器件設(shè)計開展聯(lián)合攻關(guān),為下一代光開關(guān)產(chǎn)品儲備核心技術(shù)。

 

 


二、科毅的核心創(chuàng)新:從材料到產(chǎn)品的全鏈條突破

科毅在第二代GSST光開關(guān)上的成功,并非單一技術(shù)的突破,而是材料優(yōu)化、結(jié)構(gòu)設(shè)計與集成工藝“三位一體”的創(chuàng)新結(jié)果,這也成為其超越國際品牌的核心競爭力。

 

1.材料優(yōu)化:Ag摻雜讓性能“再上臺階”

材料是光開關(guān)的“基石”。科毅采用磁控濺射沉積法(MSD)制備GSST相變薄膜,并創(chuàng)新性地通過Ag摻雜改性提升薄膜質(zhì)量。實驗數(shù)據(jù)顯示:當(dāng)Ag摻雜濃度為2.53%時,250nm厚的GSST薄膜晶化后復(fù)折射率達5.13+0.37i,非晶態(tài)下為3.02+7.4×10??i,相變優(yōu)度值(FOM)提升至5.7,較未摻雜時提高36%。

這一優(yōu)化直接降低了光信號在材料中的損耗,讓GSST光開關(guān)在1550nm波長處實現(xiàn)“插入損耗<1.5dB、消光比>13dB”的優(yōu)異性能,遠超行業(yè)平均水平。

 

2.結(jié)構(gòu)設(shè)計:法布里-珀羅腔的“智能切換”原理

科毅將GSST與法布里-珀羅光腔結(jié)合,創(chuàng)造出“高靈敏”的切換機制:當(dāng)GSST處于非晶態(tài)時,光開關(guān)滿足F-P腔的駐波條件,光場局域增強導(dǎo)致共振波長處反射率接近零(光信號“通過”);當(dāng)GSST相變至晶態(tài)時,折射率突變打破駐波條件,反射率大幅提升(光信號“阻斷”)。

這種設(shè)計讓光開關(guān)的“開關(guān)比”與響應(yīng)速度實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。以科毅OSW-1×16光開關(guān)為例,其切換時間<12ms(相鄰?fù)ǖ溃?,承載功率高達2000mW,遠超國際品牌的500-1000mW標(biāo)準(zhǔn)。

 

3.集成工藝:10萬個納米結(jié)構(gòu)的“高密度集成”

傳統(tǒng)相變光開關(guān)的一大難題是“大尺寸晶化不均勻”,導(dǎo)致性能波動。科毅通過自主研發(fā)的抗干擾磁光開關(guān)專利(CN217034436U),優(yōu)化金屬加熱結(jié)構(gòu),采用鈦/鉑金屬層實現(xiàn)對GSST材料的均勻加熱,確保整個納米結(jié)構(gòu)晶化一致。

這一突破讓科毅成功將約10萬個GSST納米結(jié)構(gòu)集成于單個硅片上,光開關(guān)體積縮小50%以上,功耗降低30%,完美適配現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的“高密度部署”需求。

 

 

三、技術(shù)參數(shù)與實測表現(xiàn):科毅GSST光開關(guān)的“硬實力”

性能參數(shù)是光開關(guān)競爭力的“直接證明”。通過與國際品牌(Thorlabs、Polatis)的關(guān)鍵參數(shù)對比,科毅GSST光開關(guān)的優(yōu)勢一目了然:

 

參數(shù)

科毅GSST光開關(guān)

Thorlabs同類產(chǎn)品

PolatisDBS光開關(guān)

插入損耗(dB)

0.8(典型值)/1.2(最大值)

0.3-0.5(高端產(chǎn)品)

0.3-0.5(高端產(chǎn)品)

切換時間(ms)

<12(相鄰?fù)ǖ溃?/span>

<1(電光開關(guān))

15-20(機械式)

耐用性(循環(huán))

101?次后IL≤1.3dB

10?

10?

工作溫度(℃)

-20~+70

-40~+85

-20~+70

承載功率(mW)

2000

500-1000

500-1000

體積(mm)

290x260x110(1U機箱)

150x100x30

300x200x80

價格(元)

500-2000

5000-10000

8000-15000

從數(shù)據(jù)可見,科毅光開關(guān)在“性價比”上優(yōu)勢顯著:價格僅為國際品牌的1/3-1/5,卻在耐用性(101?次循環(huán))、承載功率(2000mW)等關(guān)鍵指標(biāo)上領(lǐng)先。在實際應(yīng)用中,某省級骨干網(wǎng)項目采用科毅光開關(guān)后,系統(tǒng)響應(yīng)時間從150ms縮短至120ms,使用壽命延長3倍,維護成本降低40%;在光纖測試領(lǐng)域,其切換精度達±0.02dB,與國際品牌相當(dāng),但價格僅為其三分之一。

 

 

四、抗干擾與小型化:科毅光開關(guān)的“差異化競爭力”

除了核心性能,科毅在“穩(wěn)定性”與“小型化”上的突破,進一步鞏固了其市場地位。

 

1.抗干擾專利:復(fù)雜環(huán)境下的“穩(wěn)定運行”

在AI數(shù)據(jù)中心等復(fù)雜電磁環(huán)境中,傳統(tǒng)光開關(guān)常因“晶化通道導(dǎo)電”導(dǎo)致電流集中,影響性能穩(wěn)定性。科毅的抗干擾磁光開關(guān)專利(CN217034436U)通過鈦/鉑金屬層的均勻加熱設(shè)計,避免了局部電流集中,確保光開關(guān)在-20℃至+70℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

 

2.超表面集成:讓光開關(guān)“更小、更密”

通過超表面集成技術(shù),科毅將10萬個GSST納米結(jié)構(gòu)集成于單個硅片,實現(xiàn)了光開關(guān)的“微型化”與“高密度部署”。這種設(shè)計帶來三大優(yōu)勢:一是利用GSST的非易失性,斷電后仍保持狀態(tài),無需額外能耗;二是通過薄膜厚度與摻雜濃度優(yōu)化,實現(xiàn)光信號高效調(diào)控;三是結(jié)合F-P腔設(shè)計,提升開關(guān)比與切換精度。

在某數(shù)據(jù)中心項目中,采用科毅光開關(guān)后,機柜空間利用率提升40%,能耗降低30%,為運營商帶來顯著經(jīng)濟效益。

 


 

五、國產(chǎn)替代加速:科毅的市場布局與優(yōu)勢

隨著中國光通信市場規(guī)模擴大(2025年預(yù)計突破720億美元,占全球38%),國產(chǎn)光開關(guān)正迎來“替代機遇”??埔銘{借技術(shù)、成本與服務(wù)優(yōu)勢,逐步實現(xiàn)對國際品牌的替代。

 

1.“分層替代”策略:從細(xì)分市場到全面突破

科毅采取“先中低端、后高端”的替代路徑:已在光傳感、激光醫(yī)療等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)替代,下一步將重點拓展數(shù)據(jù)中心、通信基站等高端場景。通過與中科院等機構(gòu)合作、優(yōu)化本地化供應(yīng)鏈、建立全國服務(wù)網(wǎng)點(24小時響應(yīng)、48小時上門維修),科毅的服務(wù)效率遠超國際品牌(通常需3-5個工作日,維修周期2-4周)。

 

2.定制化能力:快速響應(yīng)市場需求

科毅可根據(jù)客戶需求靈活調(diào)整光開關(guān)的端口數(shù)、封裝類型與連接器類型,最快兩周內(nèi)完成定制交付,而國際品牌往往需要一個月以上。這種靈活性使其在國內(nèi)多樣化市場中更具競爭力。

 

 


六、未來展望:第三代GSTS光開關(guān)的技術(shù)藍圖

科毅正全力推進第三代GSTS光開關(guān)的研發(fā),其技術(shù)路線聚焦三大方向:

1.更快響應(yīng):引入Sc-Sb-Te等材料,將切換速度從毫秒級提升至皮秒級(700ps),功耗降低10倍;

2.更寬波段:拓展至可見光波段,滿足消費電子、激光顯示等新場景需求;

3.全光控制:通過光信號自身實現(xiàn)調(diào)制,無需電信號,進一步突破速度與功耗瓶頸。

 

 

結(jié)語:相變材料驅(qū)動的光開關(guān)革命

從GeSbTe到GSST,再到GSTS,相變材料的三代進化推動光開關(guān)完成了“從高損耗到低損耗、從低集成到高集成”的蛻變??埔銘{借在材料研發(fā)、結(jié)構(gòu)設(shè)計與集成工藝上的持續(xù)創(chuàng)新,不僅實現(xiàn)了國產(chǎn)光開關(guān)對國際品牌的替代,更引領(lǐng)著全球相變材料光開關(guān)的技術(shù)方向。

未來,隨著5G、AI與數(shù)據(jù)中心的持續(xù)發(fā)展,科毅將繼續(xù)以“創(chuàng)新、責(zé)任、速度”為核心價值觀,打造具有國際競爭力的光通信品牌,為全球光網(wǎng)絡(luò)提供更高效、更智能、更綠色的解決方案。


選擇合適的光開關(guān)是一項需要綜合考量技術(shù)、性能、成本和供應(yīng)商實力的工作。希望本指南能為您提供清晰的思路。我們建議您在明確自身需求后,詳細(xì)對比關(guān)鍵參數(shù),并優(yōu)先選擇像科毅光通信這樣技術(shù)扎實、質(zhì)量可靠、服務(wù)專業(yè)的合作伙伴。

 

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