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2025-06-26
一、引言:光開關(guān)助力下一代數(shù)據(jù)中心發(fā)展
近年來,隨著 AI、大數(shù)據(jù)、云服務(wù)等新興技術(shù)的爆發(fā)式增長,全球數(shù)據(jù)中心面臨前所未有的數(shù)據(jù)流量壓力。傳統(tǒng)的電子交換設(shè)備在容量、延遲、能耗等方面逐漸暴露出瓶頸,而光開關(guān)技術(shù)則以其高速率、低功耗、可擴(kuò)展性強(qiáng)等特點(diǎn),成為構(gòu)建高效數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)的重要支撐。
廣西科毅光通信科技有限公司長期致力于光通信領(lǐng)域的研發(fā)與生產(chǎn),專注于為客戶提供穩(wěn)定、高效的光器件產(chǎn)品和服務(wù)。我們的官網(wǎng) www.m.rise-pj.com 提供了豐富的光通信產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,歡迎訪問了解更多信息。
二、光開關(guān)的關(guān)鍵性能指標(biāo)
在評估數(shù)據(jù)中心用光開關(guān)時(shí),需關(guān)注以下十大關(guān)鍵性能指標(biāo):
1. 容量:支持高帶寬交換,尤其適用于機(jī)架間和集群間的通信。
2. 延遲:微秒或更低的延遲對實(shí)時(shí)性要求高的應(yīng)用至關(guān)重要。
3. 互連性:支持服務(wù)器之間大量并發(fā)流的傳輸。
4. 可擴(kuò)展性:網(wǎng)絡(luò)應(yīng)能經(jīng)濟(jì)高效地?cái)U(kuò)展至大規(guī)模節(jié)點(diǎn)。
5. 重新配置速度:納秒至微秒級切換,實(shí)現(xiàn)靈活帶寬分配。
6. 功率效率:目標(biāo)能耗控制在 1 pJ/bit 或更低。
7. 成本:每個(gè)端口成本目標(biāo)約為 10 美元,以保持競爭力。
8. 插入損耗:級聯(lián)使用時(shí)需低于 10 dB。
9. 串?dāng)_:大型開關(guān)矩陣要求典型值低于 -35 dB。
10. 端口數(shù)量:至少支持 16-32 個(gè)端口。
圖1 展示了上述部分指標(biāo)與光開關(guān)性能之間的關(guān)系。
圖1
三、主流光開關(guān)架構(gòu)對比分析
目前常見的光開關(guān)架構(gòu)主要包括以下幾種類型:
架構(gòu)名稱 | 特點(diǎn) | 優(yōu)缺點(diǎn) |
榕樹型 | 交換元件最少 | 存在阻塞問題 |
Bene? | 可重排無阻塞 | 元件數(shù)量少 |
交叉開關(guān) | 嚴(yán)格無阻塞 | N 個(gè)端口需 N2 個(gè)元件 |
N 級平面 | 避免波導(dǎo)交叉 | 利于集成 |
路徑無關(guān)損耗(PILOSS) | 所有路徑損耗一致 | 設(shè)計(jì)復(fù)雜度高 |
擴(kuò)張網(wǎng)絡(luò) | 消除一階串?dāng)_ | 元件數(shù)量增加 |
圖2 展示了幾種常見光開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2
不同的架構(gòu)選擇將直接影響開關(guān)的阻塞行為、串?dāng)_水平、元件數(shù)量及系統(tǒng)復(fù)雜度,因此需根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景進(jìn)行權(quán)衡設(shè)計(jì)。
下表總結(jié)了不同架構(gòu)的這些特性:
四、光開關(guān)的核心集成技術(shù)平臺
當(dāng)前,光開關(guān)主要基于以下三大類集成平臺實(shí)現(xiàn):
1. 硅基光電子技術(shù)
優(yōu)勢:
基于成熟 CMOS 工藝,適合大規(guī)模量產(chǎn)
成本低廉、器件緊湊
局限:
插入損耗和串?dāng)_較高
主要采用熱光(TO)或電光(EO)開關(guān)機(jī)制
代表產(chǎn)品:
32×32 TO 開關(guān):平均插入損耗 10.8 dB,帶寬 3.5 nm,串?dāng)_ -20 dB
64×64 熱光貝內(nèi)什開關(guān):插入損耗 12–18 dB,串?dāng)_ -30 至 -44 dB
2. InP 光電子技術(shù)
優(yōu)勢:
可集成激光器、SOA 等有源元件
低損耗、高消光比、快速響應(yīng)(納秒級)
局限:
成本高于硅基平臺
代表產(chǎn)品:
16×16 SOA 全有源開關(guān)
8×8×8λ 空間/波長聯(lián)合開關(guān):片上損耗 13.3 dB,重配置時(shí)間 5 ns
3. 硅基 III-V 混合器件
優(yōu)勢:
結(jié)合 InP 的有源性能與硅的無源優(yōu)勢
支持倒裝芯片鍵合、單片生長等多種集成方式
代表產(chǎn)品:
8×8 混合光開關(guān)(倒裝芯片鍵合 SOA)
圖3 展示了不同平臺之間的性能與成本對比。
五、典型光開關(guān)結(jié)構(gòu)與性能表現(xiàn)
1. 硅基光電子開關(guān)結(jié)構(gòu)
熱光(TO)多路復(fù)用器開關(guān)
使用加熱器誘導(dǎo)相移,功耗較低但響應(yīng)較慢(~μs)
應(yīng)用于 PILOSS 架構(gòu)下的 32×32 開關(guān)
電光(EO)多路復(fù)用器開關(guān)
響應(yīng)速度快(~ns),功耗略高
實(shí)現(xiàn) 32×32 EO Bene? 開關(guān),開關(guān)時(shí)間 1–1.2 ns
2. InP 光開關(guān)結(jié)構(gòu)
支持半導(dǎo)體光放大器(SOA)的單片集成
實(shí)現(xiàn)無損操作和快速切換
示例:16×16 全有源 SOA 開關(guān)
3. 異構(gòu)光電子集成開關(guān)結(jié)構(gòu)
將 InP 有源器件與硅無源器件混合集成
技術(shù)路線包括:
InP SOA 倒裝芯片鍵合
硅上 III-V 單片生長
III-V 器件轉(zhuǎn)移印刷到硅上
圖4 展示了一個(gè)典型的 8×8×8λ InP 開關(guān)結(jié)構(gòu)。
圖5 展示了一個(gè)混合波長選擇開關(guān)(WSS)的應(yīng)用實(shí)例。
六、光開關(guān)在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用場景
1. 分布式深度學(xué)習(xí)訓(xùn)練
使用光電路開關(guān)(OCS)動態(tài)重組服務(wù)器連接
在 16 節(jié)點(diǎn)測試平臺上,相比靜態(tài)拓?fù)?,網(wǎng)絡(luò)性能提升 3.6 倍
2. HPC 帶寬控制
Flexfly 架構(gòu)利用硅光開關(guān)實(shí)現(xiàn)蜻蜓群組間的動態(tài)鏈接
支持按需調(diào)整帶寬,適應(yīng)不同應(yīng)用流量模式
3. 分散式數(shù)據(jù)中心架構(gòu)
DACON 架構(gòu)使用納秒級光開關(guān)實(shí)現(xiàn)資源靈活配置
實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示,應(yīng)用運(yùn)行速度提高 1.74 倍,功耗降低 34%
圖6 和圖7 分別展示了分布式深度學(xué)習(xí)測試平臺與 DACON 架構(gòu)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
七、結(jié)語:廣西科毅光通信科技有限公司助力行業(yè)發(fā)展
作為一家專業(yè)的光通信解決方案提供商,廣西科毅光通信科技有限公司始終致力于推動光開關(guān)及相關(guān)產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新與市場應(yīng)用。我們提供多種類型的光開關(guān)產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、高性能計(jì)算、AI 訓(xùn)練等領(lǐng)域,滿足客戶對高速、低功耗、高可靠性的多樣化需求。
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